Максимальные достигнутые коэффициент фотоэлектрического преобразования для различных типов фотоэлементов. Измерения полученны в лабораторных условиях.
Фотоэлементы на основе кремния
- кристаллический, до 24,7%
- поликристаллический, до 20,3%
- тонкопленочный, до 16,6%
- аморфный, до 9,5%
- нанокристаллический, до 10,1%
Фотоэлементы на основе арсенида галлия GaAs и фосфида индия InP
- GaAs кристаллический, до 25,1%
- GaAs тонкопленочный, до 24,5%
- GaAs поликристаллический, до 18,2%
- InP кристаллический, до 21,9%
Фотоэлементы изготовленные по CIGS технологии
- Cu(In,Ga)Se2, до 19,9%
- CdTe, до 16,5%
Фотоэлементы, изготовленные по принципу слоистых структур
- GaInP - GaAs - Ge, до 32,0%
- GaInP - GaAs, до 30,3%
- GaAs - CuInSe2, до 25,8%
- аморфный Si - монокристаллический Si, до 11,7%
Фотоэлементы на основе органических материалов
- органические красители, до 10,4%
- полимеры, до 5,15%
